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高純鍺HPGe晶體

產品時間:2022-07-06

簡要描述:

高純鍺HPGe晶體
該晶體使用直拉法在晶體(100)方向延伸。圓柱形表面(表面光潔度小于2.5 μm RMS)。經紅外成像法檢測晶體結構穩定可靠。晶體幾個結構由直徑和長度決定。

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高純鍺HPGe晶體

 

1、晶體習性與幾何描述:

    該晶體使用直拉法在晶體(100)方向延伸。圓柱形表面(表面光潔度小于2.5 μm RMS)。經紅外成像法檢測晶體結構穩定可靠。晶體幾個結構由直徑和長度決定。當一個晶體屬于原生態晶體時,其當量直徑為:

    1.png                   

 

   D ----外形尺寸當量直徑

   W----鍺晶體重量

   L-----晶體長度

   測量值是四舍五入小可達到毫米級別。為了便于訂單出貨,我們會依據晶體的體積、直徑和長度進行分類。同時我們可以滿足客戶的特殊需求,提供定制服務。


       2、純度:殘留載荷

     大允許凈載流子雜質濃度與探頭二極管的幾個構造有關,請參照如列公式。其純度依據據霍爾效應測量和計算。

         同軸探測器:同軸探測器適用于下列公式:

      689EC8D3C7F3A38B566C34EB2986D508.png

          Nmax = 每立方厘米大雜質含量

         VD = 耗盡層電壓 = 5000 V

               εo = 介電常數 = 8,85 10-14 F/cm

               εr = 相對介電常數(Ge) = 16

          q = 電子電荷1,6 10-19C (elementary charge)

          r1 = 探測器內孔半徑

            r2 = 探測器外孔半徑

高純鍺HPGe晶體


       3、純度               

          假如晶體表面半徑減少2mm,由于鋰的漫射和刻蝕,內徑8毫米的內孔半徑, 適用公式變為:            

         

      3.png

      

         D = 晶體外表面            

 

          平面探測器:平面探測器(厚度小于2厘米)適用于以下公式:

 

        4.png

           d=探測器外觀尺寸厚度

           徑向分散載荷子(值)

           遷移:霍爾遷移

       性能: P 型晶體 μH ≥ 10000 cm2/V.s 

          N 型晶體 μH ≥ 10000 cm2/V.s

       能級: P 型晶體  通過深能瞬態測量,Cutot ≤ 4.5*109 cm-3

       N 型晶體  通過深能瞬態測量點缺陷 < < 5*108 cm-3

 

            晶體主要指標:                                P 型晶體               N 型晶體     

                                           錯位密度             ≤ 10000               ≤ 5000        

                                           星型結構             ≤ 3                       ≤ 3              

                                           鑲嵌結構              ≤ 5                       ≤ 5              

 

       4、高純度高純鍺HPGe晶體

            說明  

高純鍺晶體

 

產地

法國

物理性質

顏色

銀灰色

屬性

半導體材料

密度

5.32g/cm3

熔點

937.2

沸點

2830 

技術指標

材料均勻度

特級

光潔度

特優

純度

99.999 999 99%-99.999 999 999 99%(10 N-13N)

制備方式

鍺單晶是以區熔鍺錠原料,用直拉法(CZ)法或者垂直梯度法(VGF法)等方法制備的鍺單晶體。

產品規格

P、N型按客戶要求定制

產品用途

超高純度,紅外器件、γ輻射探測器

P型N型高純鍺

在高純金屬鍺中摻入三價元素如、、等,得到p型鍺;

在高純金屬鍺中摻入五價元素如銻、砷、磷等,得到n型鍺。

交貨期

90

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